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直流高壓發(fā)生器廠家 35kV發(fā)供電系統(tǒng)高電實驗設(shè)備的配置方案采用高頻倍壓電路，*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、 -
直流高壓發(fā)生器廠家 110kV發(fā)供電系統(tǒng)高電壓試驗設(shè)備的配置方案采用高頻倍壓電路，*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏
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直流高壓發(fā)生器廠家 10kV發(fā)供電系統(tǒng)高電實驗設(shè)備的配置方案采用高頻倍壓電路，*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、
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直流高壓發(fā)生器廠家 申報承試五級資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路，*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接 -
直流高壓發(fā)生器廠家 申報承試四級資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路，*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接
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直流高壓發(fā)生器廠家 申報承試三級資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路，*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接
